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德國半導體大廠英飛凌今(15)日宣布推出兩款全新功率模組平台,提升1200V至6.5kV電壓等級中高壓IGBT的效能,且以免權利金的方式,授權此設計給所有IGBT功率模組供應商。
英飛凌指出,採用此平台概念的首批產品包括高電壓等級3.3kV (450A)、4.5kV (400A)及6.5kV (275 A),全新設計的封裝尺寸為100mm X 140mm X 40mm。
英飛凌表示,這兩款全新模組將於明年PCIM展會(5月19至21 日,德國紐倫堡)中上市;另外,較低電壓等級的封裝設計也正在開發當中。
英飛凌開發的全新模組平台可滿足高功率密度、能源效率、使用週期長與耐用性等新興系統需求,其彈性的概念可讓相似的零件以並聯方式連接,因此能夠簡化DC連結端子與電容的結構。
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